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“Memoria del futuro” de IBM permitirá crear óctuple iPhone

18.05.2016 0 Comments

C cada nueva generación de iPhone se hacen más rápido y más eficazmente gracias a hardware y software de mejoras. Lo mismo ocurre con el tope de gama de dispositivos Android, aunque en la mayoría de las pruebas de los smartphones de Apple muestran mejores resultados. Los especialistas de la compañía IBM anunciaron la ruptura de la ingeniería, que permitirá a Apple crear aún más rápido en los dispositivos móviles a través de la transición normal de la memoria DRAM y NAND en la más rápida y fiable de la memoria de la PCM (en base a la transición de fase).

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"Memoria del futuro" de IBM permitirá crear óctuple iPhone

Los especialistas de IBM prometen radical aumento de la velocidad de teléfonos inteligentes y tabletas. Presentado en parís en la conferencia IEEE International Memory Workshop prototipo de la primera en la industria de la memoria de la PCM que establece la posibilidad de escribir en cada celda de tres bits de datos. En otras palabras, en el que las compañías puedan triplicar la capacidad del chip de la PCM, no reduciendo la escala de flujo de trabajo y no se reduce el volumen de la celda. Esto promete llevar a un mayor uso de la memoria de la PCM. Por la velocidad que se acerca a la velocidad de funcionamiento de la memoria ram, lo que lo hace un candidato único universal de la memoria en el futuro.

Hasta ahora, los principales obstáculos en el camino de la comercialización de la memoria de la PCM son de alto costo y de muy baja densidad – no más de un bit por celda. Esta limitación hacía imposible el uso de la memoria de la PCM en smartphones o portátiles. Las ventajas de PCM se puede atribuir a la combinación de alto rendimiento, es casi la misma, como el DRAM, con энергонезависимостью de la memoria flash. Además, de la memoria flash de la PCM es más larga duración – hasta 10 millones de ciclos de reescritura en contra de 3000 перезаписей en una memoria flash.

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"Memoria del futuro" de IBM permitirá crear óctuple iPhone

La celda de memoria PCM funciona en el mismo principio que el disco óptico unidad de disco, sólo que en lugar del laser en la celda de calentamiento de la sustancia se produce con altos valores de corriente. De la fuerza aplicada de la corriente dependerá de la cantidad transferida en la celda de una sustancia de estado amorfo (alta resistencia) en el cristalino (baja resistencia). Lectura — determinación de la resistencia de la célula se produce en pequeñas corrientes. Para la grabación de tres bits en la celda que desea grabar complejo de 8-nivel de la señal.

"Memoria del futuro" de IBM permitirá crear óctuple iPhone

Según IBM, los escenarios de uso de la memoria de la PCM de la multitud, a partir de la sustitución de la RAM en los ordenadores de sobremesa antes de la creación de híbridos de configuración, junto con una memoria flash para dispositivos móviles.

#Android#apple#IBM#iPhone
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