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En rusia, elaborarán la memoria revolucionaria de nuevo tipo híbrido de ram, disco duro y un pendrive

08.04.2016 0 Comments

Los científicos de mosc fiziko-tcnico del instituto (mipt) han desarrollado una tecnología revolucionaria de la creación de la memoria: el dispositivo en su base tendrán la capacidad total del disco duro, энергонезависимостью pendrive y la velocidad de la memoria ram. La base serán blade (2,5 nanómetro) сегнетоэлектрические de la película a base de óxido de hafnio.

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“Debido a que las estructuras de este material son compatibles con la tecnología de silicio, se puede esperar que en un futuro próximo, directamente en el silicio se pueden crear nuevos dispositivos de memoria no volátil con el uso de сегнетоэлектрических policristalino de capas de óxido de hafnio”, – lleva tass palabras del autor principal de la investigación, del laboratorio de materiales funcionales y dispositivos para наноэлектроники mipt, andrés Зенкевича.

Ahora el volumen almacenado y procesado de la información en el mundo se duplica cada 1,5 años. Para trabajar con ella, cada vez hay más memoria del ordenador, sobre todo no volátil – es decir, que almacena la información incluso después de apagar la alimentación. El ideal de la misma sería “universal” de la memoria, que tiene la velocidad de la memoria ram, capacidad de disco duro y знергонезависимостью pendrive. Uno de los posibles enfoques para la creación de este tipo de tecnología consideran que la memoria no volátil en сегнетоэлектрических túnel por el camino.

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Сегнетоэлектрик es una sustancia capaz de “recordar” a la dirección externa aplicada a un campo eléctrico. En principio, no conducen la corriente eléctrica, pero en muy pequeñas espesores сегнетоэлектрического de la capa de electrones de probabilidad pueden pasar a través de él, gracias a туннельному el efecto que tiene cuántica de la naturaleza. Por lo tanto, la entrada de la información en la memoria a partir del сегнетоэлектрических de películas se realiza la alimentación de tensión a los electrodos que se adhieren a сверхтонкому сегнетоэлектрику, y la lectura es la dimensión del túnel de la corriente.

Esta memoria puede poseer exclusivamente a la alta densidad, la velocidad de escritura y lectura, así como el bajo consumo de energía. Se supone que se convertiría en el batería de respaldo de una alternativa para la memoria ram, en la que los datos se pueden almacenar sin sobrescribir sólo del orden de 0,1 segundos.

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